擊穿電壓V(BR)器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗(yàn)電流I(BR)下，測得器件兩端的電壓稱為擊穿電壓，在此區(qū)域內(nèi)，二極管成為低阻抗的通路。
TVS瞬態(tài)電壓抑制這里不論TV是如何產(chǎn)生的,比如直接或者間接的雷擊,靜電放電,大容量的負(fù)載投切等因素導(dǎo)致的浪涌.電壓從幾伏到幾十千伏甚至更高.
單向可控硅和雙向可控硅是兩種常見的控制型半導(dǎo)體器件，它們在電子領(lǐng)域中起著重要的作用。雖然它們有相似之處，但在某些方面存在顯著差異
肖特基二極管是一種半導(dǎo)體器件，與普通二極管相比，它的電壓降低和回復(fù)時(shí)間更短，因此在許多電路中都被廣泛應(yīng)用。肖特基二極管有三個(gè)引腳，其中兩個(gè)為正極，一個(gè)為負(fù)極，這就是三端型的設(shè)計(jì)。在本文中，我們將詳細(xì)介紹肖特基二極管的三端型設(shè)計(jì)及其接法
